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By Dr. rer. nat. H. Tholl (auth.)

ISBN-10: 3322927628

ISBN-13: 9783322927620

ISBN-10: 3519064197

ISBN-13: 9783519064190

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Schalentheorie - download pdf or read online

Die Schalentheorie hat bereits eine hundertjährige Entwicklung hinter sich. Die Zeit (1888), als die grundlegende Arbeit der Schalentheorie [91] vom Autor als" . .. eigentlich ein Versuch, die Vibration der Kirchenglocken zu untersuchen" verstanden wurde, ist längst vorbei. Die Theorie wurde zur Grundlage für die examine und Berechnung unzähli­ ger Konstruktionen im Maschinen-, Flugzeug- und Schiffbau sowie bei Flächentragwerken des Bauingenieurwesens.

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F dB • Mit der Temperaturspannung UT = 26 mV fUr die Temperatur T = 300 K und der Elementarladung e = 1,6· 10- 19 As erhalten wir aus Gl. f= ~4 UT e'DS = ~4 . 26 mV . 1,6· 10- 19 As . 5 kQ = 9,1 nVNHz Aus Gl. 3) berechnen wir die Rauschzahl F = I + (rDS/ Ra) = 1 + (5 kQ/2 kQ) = 3,5. Das Rauschma13 ergibt sich aus Gl. 2) FdB = 10 Ig F = 10 Ig 3,5 = 5,44 dB. Diese berechneten Werte sind typisch fUr FETs und zeigen, daB die verwendeten Naherungen zulassig sind. Beispiel 8. f = 1 MHz betrieben. Man berechne den Effektivwert iir der an seinem Eingang liegenden Rauschspannung.

1 Feldeffekt-Transistoren Setzen wir noch die Spannungsverstiirkung Vu aus Gl. 5) in Gl. 1) r: Da i. aUg. S Rp ~ 1 gilt, wird der Gesamteingangswiderstand wesentIich grOBer als der Gate-Widerstand R. Mit Gl. 2) r = - a Das negative Vorzeichen zeigt an, daB mit wachsendem Ausgangsstrom i2 die Ausgangsspannung U2 abnimmt. 3) = 0 setzen. Aus Gl. 6) Nach Gl. 6) ist der Ausgangswiderstand der Drain-Schaltung wesentlich kleiner als der Ausgangswiderstand ros der Source-Schaltung und liegt im Bereich von einigen 100 Q.

Als Nachteil muB bei geschlltzten MOS30 FETs in Kauf genommen werden, daB der V Gate-Strom IGSS auf Werte wie beim 25 Sperrschicht-FET vergrbBert und der EinUGS·OV gangswiderstand dadurch verkleinert wird. Ist U(BR) DSS diejenige Drain-Source-Spannung UDS, bei det mit U GS = 0 der Durchbruch der Gate-Diode erfolgt, so gilt nach Gl. 2) U(BR)DSS = - U(BR)GD· Wird nun mit U(BR)DSX die Durchbruchsspannung der DrainSource-Strecke bei beliebiger Gate-Source-Spannung UGS bezeichnet, erhalten wir aus Gl.

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by Kevin
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